10BF60
11_N-50-2-2/133_NE
12101C104JAT2A
12101C104JAT2A یک کپاسیتور سرامیکی با ظرفیت 100 نانوفاراد و ولتاژ 100 ولت است که در اندازه 1206 (3.2 × 1.6 میلیمتر) ساخته شده است. این کپاسیتور توسط شرکت AVX Corporation تولید می‌شود و در بسته‌بندی reel موجود است. کاربردهای این کپاسیتور در مدارهای الکترونیکی و برد های مدار چاپی است که به ظرفیت بالا و ولتاژ پایین نیاز دارند. به دلیل ابعاد کوچک و ویژگی‌های برجسته‌ی آن، 12101C104JAT2A در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، از جمله در بردهای مدار چاپی و مدارهای الکترونیکی، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
1N1202A
1N1202A یک دیود زینر (Zener Diode) با ولتاژ نامی 12 ولت و جریان معکوس نامی 5 میلی آمپر است. این دیود توسط شرکت Microsemi Corporation تولید می‌شود و در پکیج DO-35 عرضه می‌شود. دیود زینر 1N1202A برای استفاده در مدارهای الکترونیکی، از جمله مدارهای منبع تغذیه، محافظ ولتاژ و تنظیم کننده ولتاژ، مناسب است. این دیود دارای ویژگی‌هایی همچون پایداری در دماها و ولتاژهای مختلف، عملکرد بازده بالا، نویز کم و زمان واکنش کوتاه است.
1N1616R
1N21WE
1N4067
1N5819
1N5819 یک دیود شاتکی با توان ۱ وات و ولتاژ ۴۰ ولت است که برای محافظت در برابر برگشت جریان و همچنین به عنوان یک منبع تغذیه با ولتاژ پایین در برنامه‌های الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد. این دیود شاتکی به دلیل زمان پاسخگویی سریع و همچنین ولتاژ کم افت دیود در حالت روشنی، برای کاربردهایی مانند انتقال انرژی با تلفات کم، ترانزیستورهای قدرت، مدارهای تنظیم ولتاژ و بسیاری دیگر از برنامه‌های الکترونیکی استفاده می‌شود. این دیود با طراحی محافظت در برابر برگشت جریان، یعنی اگر جریان برعکس شود، با ایجاد یک ولتاژ بسیار بالا، جریان را قطع می‌کند. همچنین این دیود برای تولید ولتاژ پایین و پایدار و همچنین حفاظت در برابر نوسانات ولتاژ مورد استفاده قرار می‌گیرد.
1N5822
1N5822 یک دیود شاتکی با توان بالا و ولتاژ منفی به صورت SMD (Surface Mount Device) است که توسط شرکت Microsemi تولید شده است. این دیود، برای استفاده در مدارهای الکترونیکی با جریان و ولتاژ بالا و نیاز به پایداری و قابلیت تحمل در برابر دماهای بالا، مناسب است.
1N5822 دارای ولتاژ کاری 40 ولت و جریان کاری 3 آمپر است. این دیود، با توجه به ویژگی‌هایی همچون سرعت بالا، ضریب هدایت بالا و انحراف ناچیز از منحنی دیود، در بسیاری از کاربردهای الکترونیکی، از جمله منابع تغذیه، مدارهای درایو، مدارهای تنظیم و کاهنده، بدون دیودهای برداشت، استفاده می‌شود.
1N5822 دارای قابلیت تحمل در برابر دمای بالا (حداکثر 150 درجه سانتی‌گراد) و مقاومت در برابر شوک و لرزش است و در بستر SMD با ابعاد کوچک قابل نصب است. همچنین، این دیود دارای پایه‌های مناسب برای جلوگیری از خرابی در برابر امواج الکتریکی و اغتشاشات الکترومغناطیسی است.
24512W6
24C016
2N1613
2N1613 یک ترانزیستور نوع PNP با قدرت بالا و فرکانس بالا است که توسط شرکت Central Semiconductor Corp تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون جریان پایه بالا، افزایش کنترلی بالا، قابلیت عملکرد در دماهای بالا و پایداری در فرکانس بالا است. 2N1613 برای استفاده در مدارهای الکترونیکی، از جمله مدارهای تقویت کننده، مدارهای تحلیل طیف، مدارهای الکترونیکی قدرت بالا و مدارهای RF، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، 2N1613 در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، ازجمله در مدارهای تقویت کننده، مدارهای تحلیل طیف، مدارهای الکترونیکی قدرت بالا و مدارهای RF، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
2N2222
2N2222A
2N2222A یک ترانزیستور NPN سیلیکونی است که توسط شرکت های Motorola و Fairchild Semiconductor و دیگر تولید کنندگان الکترونیک ساخته شده است. این ترانزیستور، یکی از پرکاربردترین ترانزیستورهای سیلیکونی است که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، از جمله مدارهای تقویت کننده، سوئیچینگ، آمپلی فایر و غیره، استفاده می‌شود.
2N2222A دارای دو پایه کولکتور (C)، پایه بیس (B) و پایه امیتر (E) است. این ترانزیستور، به عنوان یک ترانزیستور NPN، جریان های الکترونی را از پایه بیس به پایه امیترمنتقل می‌کند و با تغییر ولتاژ پایه بیس، جریان کلکتور به طور تقریبی به دو برابر تغییر می‌کند. این ترانزیستور دارای ولتاژ کاری حداکثر 40 ولت و جریان کاری حداکثر 600 میلی آمپر است.
2N2324S
2N2324S یک ترانزیستور NPN با توان ۰.۵ وات، ولتاژ ۳۰ ولت و جریان ۰.۱ آمپر است. این ترانزیستور توسط شرکت Microsemi Corporation تولید شده است.
این ترانزیستور با ویژگی‌هایی همچون سرعت بالا، مصرف برق کم، نویز کم، پایداری حرارتی بالا و قابلیت کار در دمای بالا، در برنامه‌هایی که نیاز به کنترل جریان و ولتاژ با دقت و پایداری بالا دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
2N3440
2N3440 یک ترانزیستور نوع NPN با قدرت بالا و جریان کاری حدود 1 آمپر است که توسط شرکت ON Semiconductor تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون جریان پایه بالا، افزایش کنترلی بالا، پایداری در دمای بالا و پایداری در فرکانس بالا است. 2N3440 برای استفاده در مدارهای الکترونیکی، از جمله مدارهای تقویت کننده، مدارهای تحلیل طیف، مدارهای الکترونیکی قدرت بالا و مدارهای RF، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، 2N3440 در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، ازجمله در مدارهای تقویت کننده، مدارهای تحلیل طیف، مدارهای الکترونیکی قدرت بالا و مدارهای RF، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
2N4036
2N4036 یک ترانزیستور نوع PNP با ولتاژ کاری 40 ولت و جریان کاری 1 آمپر است که توسط شرکت ON Semiconductor تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون جریان پایه بالا، افزایش کنترلی بالا، پایداری در دمای بالا، پایداری در فرکانس بالا و حفاظت در برابر اتصال کوتاه است. 2N4036 برای استفاده در مدارهای الکترونیکی، از جمله مدارهای تقویت کننده، مدارهای تحلیل طیف، مدارهای الکترونیکی قدرت بالا و مدارهای RF، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، 2N4036در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، از جمله در مدارهای تقویت کننده، مدارهای تحلیل طیف، مدارهای الکترونیکی قدرت بالا و مدارهای RF، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
2N4416
2N4416 یک ترانزیستور MOSFET با ولتاژ کم و جریان پایین است که در برنامه‌های مختلف الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ترانزیستور با ولتاژ کاری حدود 40 ولت و جریان کاری 10 میلی‌آمپر، قابلیت کار در بسیاری از مدارهای الکترونیکی را دارد. از این ترانزیستور در بردهای بلندگو، مدارهای تقویت کننده دوتایی و مدارهای مبدل سطح استفاده می‌شود. همچنین به دلیل مصرف برق کم، این ترانزیستور معمولاً در باتری‌ها و مدارهای الکترونیکی پرتابل استفاده می‌شود.
2N5415
2N5415 یک ترانزیستور دارای چهار لایه (Darlington Transistor) با ولتاژ کاری 300 ولت و جریان کاری 1 آمپر است که توسط شرکت ON Semiconductor تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون جریان پایه بالا، افزایش کنترلی بالا، پایداری در دمای بالا، پایداری در فرکانس بالا و حفاظت در برابر اتصال کوتاه است. 2N5415 برای استفاده در مدارهای الکترونیکی، از جمله مدارهای تقویت کننده، مدارهای قدرت، مدارهای رانش الکترونیکی، مدارهای تنظیم ولتاژ و مدارهای سوئیچینگ، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، 2N5415 در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، از جمله در مدارهای تقویت کننده، مدارهای قدرت، مدارهای رانش الکترونیکی، مدارهای تنظیم ولتاژ و مدارهای سوئیچینگ، مورد استفاده قرار می‌گیرد.