HD64180RCP6X
HEF4027BT
HFCN-2100D+
HMC241QS16E
HMC241QS16E یک تقویت کننده RF (Radio Frequency) با فرکانس کاری بین ۳ تا ۲۰ گیگاهرتز و گین بالا است که توسط شرکت Analog Devices تولید می‌شود. این تقویت کننده دارای ویژگی‌هایی مانند نویز کم، پهنای باند بالا، پایداری فرکانس، کارکرد در ولتاژ کم، امکان تنظیم گین، پایداری دمایی بالا و مصرف کم انرژی است. HMC241QS16E در بسته‌بندی Surface Mount Technology (SMT) با ابعاد ۳x۳x۰.۸ میلی‌متر عرضه می‌شود.
HMC849LP4CETR
HMC948LP3E
HN16022CG
HV9910C
HY62256ALP-70
HY62256ALP-70 یک حافظه RAM استاتیکی با ظرفیت 32 کیلوبایت (32K) و سرعت دسترسی 70ns است که توسط شرکت Hynix Semiconductor (اکنون به نام SK Hynix شناخته می‌شود) تولید می‌شود. این حافظه دارای 16 خط داده‌ی ورودی/خروجی است و برای استفاده در مدارهای دیجیتال، از جمله مدارهای کنترلی و مدارهای حافظه، مناسب است. HY62256ALP-70 دارای ویژگی‌هایی همچون کارکرد با ولتاژ 5 ولت، مصرف توان کم، قابلیت نگهداری داده‌ها در حالت انرژی صفر (بدون نیاز به باتری پشتیبانی) و عملکرد پایداری با سرعت بالا و پایداری در دماهای مختلف است.
IR10BF60
IR2113PBF
IR2113PBF یک درایور MOSFET و IGBT دو کاناله است که توسط شرکت Infineon Technologies ساخته شده است. این درایور، برای کاربردهایی که نیاز به کنترل MOSFET و IGBT در بردارنده‌های سوئیچینگ با سرعت بالا دارند، مناسب است.
IR2113PBF دارای ورودی های منطقی که از جمله همانطور که از نام آن پیداست، مجهز به دو کانال است. هر یک از کانال‌ها دارای یک ورودی منطقی و یک خروجی MOSFET / IGBT مجزا هستند. این درایور قابلیت کار با ولتاژ ورودی بالا تا 20 ولت را دارد و جریان خروجی آن به 2 آمپر می‌رسد.
IRF4905
IRFB31N20D
IRFB31N20D یک ماسفت قدرت بالا (Power MOSFET) است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید شده است. این ماسفت دارای ولتاژ کاری ۲۰۰ ولت و جریان کاری ۳۱ آمپر است. این ماسفت دارای نوسانات پایین و مقاومت پایین در وضعیت روشن است که باعث می‌شود در برنامه‌هایی که نیاز به کار با توان بالا دارند، مورد استفاده قرار گیرد.
IRFPS43N50K
IRFPS43N50K یک ترانزیستور قدرت MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) با ولتاژ 500 ولت و جریان 43 آمپر و تحمل توان 330 وات است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون سرعت بالا، مقاومت کم، راندگی ساده، مصرف توان کم و پایداری در برابر دمای بالا است. IRFPS43N50K برای کاربردهای مختلفی مانند کنترل موتور، منابع تغذیه قدرت، الکترونیک صنعتی و دستگاه‌های الکترونیکی قدرتمند، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، IRFPS43N50K دربسیاری از محصولات الکترونیکی، از جمله در دستگاه‌های صنعتی، تجهیزات انرژی، الکترونیک قدرت، و سایر سیستم‌های الکترونیکی قدرتمند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ISS226
ISS226 یک سوئیچ هال افزایشی (Hall Effect Switch) است که برای تشخیص حضور میدان مغناطیسی در مدارهای الکترونیکی استفاده می‌شود. این سوئیچ هال، در پکیج SOT-23 بوده و دارای ولتاژ کاری بین ۲٫۵ تا ۵ ولت است.
این سوئیچ هال با ویژگی‌هایی همچون دقت بالا در تشخیص میدان مغناطیسی، سرعت عمل بالا، مصرف برق کم، پایداری دمایی بالا و ابعاد کوچک، در برنامه‌هایی که نیاز به تشخیص حضور میدان مغناطیسی در مدارهای الکترونیکی دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
JAN2N3251
JAN2N3251 یک ترانزیستور NPN با قدرت بالا است که در برنامه‌های مختلف صنعتی مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ترانزیستور در محدوده دمایی وسیعی کار می‌کند و در دماهای بالا همچنین عملکرد خوبی دارد. هدف اصلی از طراحی این ترانزیستور، استفاده در برد‌های قدرت بالا و قدرت رادیویی بوده است. JAN در نام این ترانزیستور، به معنی "جنگ خدمتی ارتش" است و نشان می‌دهد که این ترانزیستور برای استفاده در سیستم‌های نظامی ساخته شده است.
JAN2N918
JAN2N918 یک ترانزیستور NPN با قدرت بالا و ولتاژ کاری ۱۵ ولت است. این ترانزیستور از جنس سیلیکون است و با ویژگی‌هایی همچون پایداری دمایی بالا، توان بالا و پایداری در فرکانس‌های بالا، در برنامه‌هایی که نیاز به کنترل و تقویت سیگنال‌های الکترونیکی با قدرت بالا و ولتاژ کم دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
JANTX1N3595
JV2N2484A
JV2N3823
JV2N3823 یک ترانزیستور MOSFET کانال N با توان ۱۶ وات، ولتاژ ۲۵۰ ولت و جریان ۴ آمپر است. این ترانزیستور توسط شرکت Central Semiconductor Corp تولید شده است.
این ترانزیستور از جنس سیلیکون است و با ویژگی‌هایی همچون مقاومت بالا در برابر خوردگی، دارای مصرف برق کم و نویز کم، پایداری حرارتی بالا و قابلیت کار در دمای بالا، در برنامه‌هایی که نیاز به کنترل جریان و ولتاژ با دقت و پایداری بالا دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.