BF961
BF961 یک ترانزیستور فلزی-نیمه‌رسانا (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor یا به اختصار MESFET) با ولتاژ کاری 20 ولت و جریان کاری 10 میلی‌آمپر است که توسط شرکت Vishay Intertechnology تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون جریان کم، نویز کم، افزایش کنترلی بالا، پایداری در فرکانس بالا و پاسخ فرکانسی وسیع است. BF961 برای استفاده در مدارهای RF و مدارهای آمپلی‌فایر با ورودی‌های پایین و متوسط، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، BF961 در بسیاری از مدارهای الکترونیکی، از جمله در مدارهای RF، مدارهای آمپلی‌فایر، مدارهای دیجیتال و سیستم‌های الکترونیکی، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
BFG425W
BFG425W یک ترانزیستور دوجمله‌ای (bipolar junction transistor) نوع NPN با فرکانس بالا و جریان کاری 12 میلی آمپر است که توسط شرکت NXP Semiconductors تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون گین بالا، پایداری در فرکانس‌های بالا، زمان پاسخ کوتاه، جریان کم در حالت خاموشی (low leakage current) و دمای کاری بالا است. BFG425W برای استفاده در مدارهای فرکانس بالا، از جمله در مدارهای فرستنده و گیرنده‌ی رادیویی و تلویزیونی، مدارهای فرکانس‌سنج و سایر مدارهای فرکانس بالا، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، BFG425W در بسیاری از مدارهای الکترونیکی با فرکانس بالا، از جمله در مدارهای فرستنده و گیرنده‌ی رادیویی و تلویزیونی، مدارهای فرکانس‌سنج و سایر مدارهای فرکانس بالا، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
BFG96
BFG96 یک ترانزیستور دو جهته دوپین با توان ۰.۵ وات، ولتاژ ۲۵ ولت و جریان ۰.۰۵ آمپر است. این ترانزیستور توسط شرکت Infineon Technologies AG تولید شده است.
این ترانزیستور با ویژگی‌هایی همچون سرعت بالا، پایداری حرارتی بالا، مصرف برق کم، نویز کم و قابلیت کار در فرکانس‌های بالا، در برنامه‌هایی که نیاز به تقویت و سوییچینگ سیگنال‌های الکترونیکی با فرکانس بالا دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
BU323AD
BUL216
BUL216 یک ترانزیستور NPN قدرتمند است که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی به عنوان سوئیچ و تقویت‌کننده‌ی سیگنال استفاده می‌شود. این ترانزیستور دارای ولتاژکاری 1600 ولت و جریان کاری 16 آمپر است. BUL216 در پکیج TO-3P عرضه می‌شود و به دلیل قدرت بالایی که دارد، می‌تواند در مدارهایی با توان بالا و بارهای سنگین استفاده شود. این ترانزیستور قابلیت تحمل جریان بالا و دمای بالا را داراست و معمولاً در مدارهای قدرت، منابع تغذیه، موتورها و اینورترها که نیاز به کنترل توان بالا دارند، استفاده می‌شود.
DSEC60-03AR
IR2113PBF
IR2113PBF یک درایور MOSFET و IGBT دو کاناله است که توسط شرکت Infineon Technologies ساخته شده است. این درایور، برای کاربردهایی که نیاز به کنترل MOSFET و IGBT در بردارنده‌های سوئیچینگ با سرعت بالا دارند، مناسب است.
IR2113PBF دارای ورودی های منطقی که از جمله همانطور که از نام آن پیداست، مجهز به دو کانال است. هر یک از کانال‌ها دارای یک ورودی منطقی و یک خروجی MOSFET / IGBT مجزا هستند. این درایور قابلیت کار با ولتاژ ورودی بالا تا 20 ولت را دارد و جریان خروجی آن به 2 آمپر می‌رسد.
IRF4905
IRFB31N20D
IRFB31N20D یک ماسفت قدرت بالا (Power MOSFET) است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید شده است. این ماسفت دارای ولتاژ کاری ۲۰۰ ولت و جریان کاری ۳۱ آمپر است. این ماسفت دارای نوسانات پایین و مقاومت پایین در وضعیت روشن است که باعث می‌شود در برنامه‌هایی که نیاز به کار با توان بالا دارند، مورد استفاده قرار گیرد.
IRFPS43N50K
IRFPS43N50K یک ترانزیستور قدرت MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) با ولتاژ 500 ولت و جریان 43 آمپر و تحمل توان 330 وات است که توسط شرکت Infineon Technologies تولید می‌شود. این ترانزیستور دارای ویژگی‌هایی همچون سرعت بالا، مقاومت کم، راندگی ساده، مصرف توان کم و پایداری در برابر دمای بالا است. IRFPS43N50K برای کاربردهای مختلفی مانند کنترل موتور، منابع تغذیه قدرت، الکترونیک صنعتی و دستگاه‌های الکترونیکی قدرتمند، مناسب است. به دلیل ویژگی‌های برجسته‌ی آن، IRFPS43N50K دربسیاری از محصولات الکترونیکی، از جمله در دستگاه‌های صنعتی، تجهیزات انرژی، الکترونیک قدرت، و سایر سیستم‌های الکترونیکی قدرتمند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
JAN2N3251
JAN2N3251 یک ترانزیستور NPN با قدرت بالا است که در برنامه‌های مختلف صنعتی مورد استفاده قرار می‌گیرد. این ترانزیستور در محدوده دمایی وسیعی کار می‌کند و در دماهای بالا همچنین عملکرد خوبی دارد. هدف اصلی از طراحی این ترانزیستور، استفاده در برد‌های قدرت بالا و قدرت رادیویی بوده است. JAN در نام این ترانزیستور، به معنی "جنگ خدمتی ارتش" است و نشان می‌دهد که این ترانزیستور برای استفاده در سیستم‌های نظامی ساخته شده است.
JAN2N918
JAN2N918 یک ترانزیستور NPN با قدرت بالا و ولتاژ کاری ۱۵ ولت است. این ترانزیستور از جنس سیلیکون است و با ویژگی‌هایی همچون پایداری دمایی بالا، توان بالا و پایداری در فرکانس‌های بالا، در برنامه‌هایی که نیاز به کنترل و تقویت سیگنال‌های الکترونیکی با قدرت بالا و ولتاژ کم دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
JV2N2484A
JV2N3823
JV2N3823 یک ترانزیستور MOSFET کانال N با توان ۱۶ وات، ولتاژ ۲۵۰ ولت و جریان ۴ آمپر است. این ترانزیستور توسط شرکت Central Semiconductor Corp تولید شده است.
این ترانزیستور از جنس سیلیکون است و با ویژگی‌هایی همچون مقاومت بالا در برابر خوردگی، دارای مصرف برق کم و نویز کم، پایداری حرارتی بالا و قابلیت کار در دمای بالا، در برنامه‌هایی که نیاز به کنترل جریان و ولتاژ با دقت و پایداری بالا دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد.
MGF2407A
MJ3000
PZT2222AT
PZT2222AT یک ترانزیستور biploar junction (BJT) است که توسط شرکت ON Semiconductor تولید می‌شود. این ترانزیستور NPN با جریان کاری ۶۰۰ میلی‌آمپر، ولتاژ کاری ۳۰ ولت و توان ۵۰۰ میلی‌وات است. این ترانزیستور در برنامه‌های مختلف الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، از جمله در مدارهای تقویت کننده ساده، مدارهای منطقی، مدارهای تحلیلگر سیگنال و بسیاری دیگر از برنامه‌های الکترونیکی. این ترانزیستور با توجه به سرعت بالا در کار و همچنین قابلیت کار در دماهای بالا، معمولاً در برنامه‌هایی که نیاز به ترانزیستور سریع و با عملکرد قابل اعتماد دارند، مورد استفاده قرار می‌گیرد. همچنین از این ترانزیستور برای کنترل موتورها، رله‌ها و دستگاه‌های الکترونیکی دیگر نیز استفاده می‌شود.