| 4 Can Ship Immediately | :Stock | S29GL512N10TFI01 MWE | MWE Part |
| 4 Weeks | Factory Lead-Time | S29GL512N10TFI01 | :#.Mfr |
| Minimum: 1 Multiples: 1 | Enter Quantit: | :.Mfg | |
| TSOP | package | ||
| 512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit process technology |
:Description | ||
| S29GL512N10TFI01 Datasheet | :Datasheet |
S29GL512N10TFI01
1,850,000 تومان
S29GL512N10TFI01 یک حافظه فلش نوع NOR با ظرفیت 512 مگابیت و ولتاژ کاری 3 ولت است که توسط شرکت Cypress Semiconductor تولید میشود. این حافظه فلش دارای ویژگیهایی مانند سرعت بالا در خواندن و نوشتن دادهها، پایداری بالا در طول زمان، مصرف برق کم و پشتیبانی از ولتاژ کاری پایین است.
10 در انبار
توضیحات
توضیحات تکمیلی
| package | TSOP |
|---|
نظرات (2)
نيما سلطان عباس نیا –
این آیسی حافظه فلش مدل S29GL512N10TFI01 از خانواده محصولات Page Mode Flash با فناوری MirrorBit و فرآیند ساخت 110 نانومتر است که ظرفیت بالای 512 مگابیت را ارائه میدهد. این چیپ با ولتاژ کاری 3.0 ولت و پشتیبانی از رابط Versatile I/O (با بازه ولتاژی 1.65 تا 3.6 ولت) گزینهای مناسب برای کاربردهای صنعتی و خودرویی محسوب میشود. سرعت دسترسی تصادفی 100 نانوثانیه و پشتیبانی از برنامهنویسی صفحهای (Page Programming) تا 512 بایت در هر بار، آن را برای سیستمهایی که نیاز به سرعت بالای خواندن و نوشتن دارند، ایدهآل میکند.
جلیل خسروی –
مشخصات حافظه فلش خیلی خوب و کاربردیه مخصوصاً که با فناوری MirrorBit ساخته شده این موضوع باعث میشه عملکرد ثابتی داشته باشه سرعتش هم برای صفحهبندی مناسب به نظر میرسه
برای استفاده در پروژههای با ولتاژ 3 ولت گزینه مناسبیه و بستهبندی TSOP هم نصبش رو راحت کرده