4 Can Ship Immediately | :Stock | S29GL512N10TFI01 MWE | MWE Part |
4 Weeks | Factory Lead-Time | S29GL512N10TFI01 | :#.Mfr |
Minimum: 1 Multiples: 1 | Enter Quantit: | :.Mfg | |
TSOP | package | ||
512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit process technology |
:Description | ||
S29GL512N10TFI01 Datasheet | :Datasheet |
S29GL512N10TFI01
10 در انبار
S29GL512N10TFI01 یک حافظه فلش نوع NOR با ظرفیت 512 مگابیت و ولتاژ کاری 3 ولت است که توسط شرکت Cypress Semiconductor تولید میشود. این حافظه فلش دارای ویژگیهایی مانند سرعت بالا در خواندن و نوشتن دادهها، پایداری بالا در طول زمان، مصرف برق کم و پشتیبانی از ولتاژ کاری پایین است.
دسته بندی ها IC, قطعات الکترونیکی
ارسال به تمام نقاط کشور
تضمین اصالت کالا
7 روز ضمانت بازگشت کالا
توضیحات
توضیحات تکمیلی
package | TSOP |
---|
نيما سلطان عباس نیا –
این آیسی حافظه فلش مدل S29GL512N10TFI01 از خانواده محصولات Page Mode Flash با فناوری MirrorBit و فرآیند ساخت 110 نانومتر است که ظرفیت بالای 512 مگابیت را ارائه میدهد. این چیپ با ولتاژ کاری 3.0 ولت و پشتیبانی از رابط Versatile I/O (با بازه ولتاژی 1.65 تا 3.6 ولت) گزینهای مناسب برای کاربردهای صنعتی و خودرویی محسوب میشود. سرعت دسترسی تصادفی 100 نانوثانیه و پشتیبانی از برنامهنویسی صفحهای (Page Programming) تا 512 بایت در هر بار، آن را برای سیستمهایی که نیاز به سرعت بالای خواندن و نوشتن دارند، ایدهآل میکند.